Transistors. Page 107 sur 114. Avtronic

Transistor STD3NK80ZT4

4.48€ TTC

415 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z CMS 800V 2.5A. Référence d'origine constructeur: STD3NK80ZT4. Marquage boîtier: D3NK80Z. Boîtier: TO-252 (D-Pak). Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 2.5A. Puissance: 70W. Résistance Rds: 3.8 Ohms. Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

0

Tarifs dégressifs

Transistor STD4NK50ZT4

4.03€ TTC

1134 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 500V. Courant de drain maxi: 3A. Puissance: 45W. Rds<2.3 Ohms. Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET. Boîtier: TO-252 (D-Pak).

0

Tarifs dégressifs

Transistor STD4NK60ZT4

4.20€ TTC

484 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z CMS 600V 4A. Référence d'origine constructeur: STD4NK60ZT4. Marquage boîtier: D4NK60Z. Boîtier: TO-252(D-Pak). Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 4A. Puissance: 70W. Résistance Rds: 1.76 Ohms. Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STD7NM60N

4.20€ TTC

119 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 600V 5A/20Ap 45W. Résistance passante RDSon : 0.84 Ohms (3A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor STE53NC50

75.04€ TTC

14 En stock

Transistor STE53NC50 N-MOS 500V 53A(puls.212A)460W 0.07R. PowerMesh II MOSFET. SMPS POWER MOSFET. Constructeur: ST. Boîtier: ISOTOP(SOT227B). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 53 A

0

Tarifs dégressifs

Transistor STF11NM60ND

9.74€ TTC

17 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 600V 10A. Puissance: 25W. Résistance Rds: 0.37 Ohms. Boîtier: TO220FP isolé.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STF13N80K5

14.11€ TTC

57 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée. 800V 12A/48Ap 35W. Résistance passante RDSon : 0.37 Ohms (7.6A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STF18NM60N

5.77€ TTC

67 En stock

Transistor MOSFET canal-N 600V 13/52Ap 30W. Résistance passante RDSon : 0.26 Ohms (8.2A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor STF3NK80Z

3.53€ TTC

50 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 2.5A. Référence d'origine constructeur: STF3NK80Z. Marquage boîtier: F3NK80Z. Boîtier: TO-220FP isolé. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 2.5A. Puissance: 25W. Résistance Rds: 3.8 Ohms. Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET.

0

Tarifs dégressifs

Transistor STF9NK90Z

8.79€ TTC

43 En stock

Transistor STF9NK90Z N-MOS+D 900V 8A/32Ap. 40W 1.1R(5A). Zéner-protected SuperMESH. Power MOSFET. Switching applications. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STF9NM60N

9.74€ TTC

193 En stock

Transistor MOSFET canal-N 600V 6.5A/26Ap. 25W. Résistance passante RDSon : 0.63 Ohms (4A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor STGF10NB60SD

7.50€ TTC

49 En stock

Transistor IGBT N 600V 20A. Boîtier: TO-220FP. Marquage boîtier: GF10NB60SD. Tension collecteur-émetteur maxi (VBE=0): 600V. Courant de collecteur maxi: 20A. Puissance: 25W. VGES: 20V. Vce(sat): 1.35V. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

0

Tarifs dégressifs

Transistor STGIPS20K60

50.12€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N Module 600V 18A 25-Pin

0

Tarifs dégressifs

Transistor STGP10NC60KD

5.32€ TTC

196 En stock

Transistor IGBT N 600V 20A. Vce(sat): 2.2V. Boîtier: TO-220. Marquage boîtier: GP10NC60KD. Tension collecteur-émetteur maxi (VBE=0): 600V. Courant de collecteur maxi: 20A. Puissance: 65W. VGES: 20V. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

0

Tarifs dégressifs

Transistor STGW20NC60VD

13.94€ TTC

47 En stock

N-IGBT+D 600V 60A/150Ap 200W Vce(sat)1.8V. Constructeur: STMicroelectronics. Code constructeur: STGW20NC60VD. Jelzés a tokon: GW20NC60VD. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO247AC. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 60 A. Ic(T-100°C): 30 A. Ic(puls): 150 A. Puissance: 200 W. VGE:

0

Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N STGW30NC120HD

15.74€ TTC

35 En stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 1200V 60A/135Ap 220W Vce(sat) : 2.2V

0

Tarifs dégressifs

Transistor STGW40NC60V

33.66€ TTC

20 En stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 80A. Puissance: 260W. Vce(sat): 1.9V. Boîtier: TO-247(AC). Marquage: GW40NC60V. td(On): 175ns. td(Off): 140ns (25°C)

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STH8NA60FI

15.46€ TTC

12 En stock

Transistor MOSFET canal-N 600V 5A/32Ap 60W. Résistance passante RDSon : 1.5 Ohms (3.2A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STN4NF20L

5.71€ TTC

145 En stock

Transistor MOSFET canal-N 200V 1A/4Ap 3.3W. Résistance passante RDSon : 1.1 Ohms

0

Tarifs dégressifs

Transistor STP10NK60Z

5.71€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 10A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 10A. Puissance: 115W. Résistance Rds: 0.75 Ohms. PowerMESH MOSFET. Zéner-Protected.

0

Tarifs dégressifs

Transistor STP10NK60ZFP

5.04€ TTC

54 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 10A. Boîtier: TO-220FP isolé. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 10A. SuperMESH. Zéner-Protected.

0

Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor STD3NK80ZT4

Transistor STD4NK50ZT4

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 500V. Courant de drain maxi: 3A. Puissance: 45W. Rds<2.3 Ohms. Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET. Boîtier: TO-252 (D-Pak).

Transistor STD4NK60ZT4

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z CMS 600V 4A. Référence d'origine constructeur: STD4NK60ZT4. Marquage boîtier: D4NK60Z. Boîtier: TO-252(D-Pak). Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 4A. Puissance: 70W. Résistance Rds: 1.76 Ohms. Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET.

Transistor MOSFET canal-N STD7NM60N

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 600V 5A/20Ap 45W. Résistance passante RDSon : 0.84 Ohms (3A)

Transistor STE53NC50

Transistor STE53NC50 N-MOS 500V 53A(puls.212A)460W 0.07R. PowerMesh II MOSFET. SMPS POWER MOSFET. Constructeur: ST. Boîtier: *ISOTOP*(SOT227B). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 53 A

Transistor STF11NM60ND

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 600V 10A. Puissance: 25W. Résistance Rds: 0.37 Ohms. Boîtier: TO220FP isolé.

Transistor MOSFET canal-N STF13N80K5

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée. 800V 12A/48Ap 35W. Résistance passante RDSon : 0.37 Ohms (7.6A)

Transistor MOSFET canal-N STF18NM60N

Transistor MOSFET canal-N 600V 13/52Ap 30W. Résistance passante RDSon : 0.26 Ohms (8.2A)

Transistor STF3NK80Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 2.5A. Référence d'origine constructeur: STF3NK80Z. Marquage boîtier: F3NK80Z. Boîtier: TO-220FP isolé. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 2.5A. Puissance: 25W. Résistance Rds: 3.8 Ohms. Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET.

Transistor STF9NK90Z

Transistor STF9NK90Z N-MOS+D 900V 8A/32Ap. 40W 1.1R(5A). Zéner-protected SuperMESH. Power MOSFET. Switching applications. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A.

Transistor MOSFET canal-N STF9NM60N

Transistor MOSFET canal-N 600V 6.5A/26Ap. 25W. Résistance passante RDSon : 0.63 Ohms (4A)

Transistor STGF10NB60SD

Transistor IGBT N 600V 20A. Boîtier: TO-220FP. Marquage boîtier: GF10NB60SD. Tension collecteur-émetteur maxi (VBE=0): 600V. Courant de collecteur maxi: 20A. Puissance: 25W. VGES: 20V. Vce(sat): 1.35V. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

Transistor STGIPS20K60

Transistor IGBT N Module 600V 18A 25-Pin

Transistor STGP10NC60KD

Transistor IGBT N 600V 20A. Vce(sat): 2.2V. Boîtier: TO-220. Marquage boîtier: GP10NC60KD. Tension collecteur-émetteur maxi (VBE=0): 600V. Courant de collecteur maxi: 20A. Puissance: 65W. VGES: 20V. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

Transistor STGW20NC60VD

Transistor IGBT canal-N STGW30NC120HD

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 1200V 60A/135Ap 220W Vce(sat) : 2.2V

Transistor STGW40NC60V

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 80A. Puissance: 260W. Vce(sat): 1.9V. Boîtier: TO-247(AC). Marquage: GW40NC60V. td(On): 175ns. td(Off): 140ns (25°C)

Transistor MOSFET canal-N STH8NA60FI

Transistor MOSFET canal-N 600V 5A/32Ap 60W. Résistance passante RDSon : 1.5 Ohms (3.2A)

Transistor MOSFET canal-N STN4NF20L

Transistor MOSFET canal-N 200V 1A/4Ap 3.3W. Résistance passante RDSon : 1.1 Ohms

Transistor STP10NK60Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 10A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 10A. Puissance: 115W. Résistance Rds: 0.75 Ohms. PowerMESH MOSFET. Zéner-Protected.

Transistor STP10NK60ZFP

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 10A. Boîtier: TO-220FP isolé. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 10A. SuperMESH. Zéner-Protected.

Aide

Renseignements

Boutique

Mon compte

Restons en contact

Transistor STE53NC50 N-MOS 500V 53A(puls.212A)460W 0.07R. PowerMesh II MOSFET. SMPS POWER MOSFET. Constructeur: ST. Boîtier: ISOTOP(SOT227B). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 53 A